注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.698673
10
¥0.659126
100
¥0.621817
500
¥0.58662
1000
¥0.553415
Diodes Incorporated DMB53D0UDW-7
- 收藏
- 对比
DMB53D0UDW-7
671-DMB53D0UDW-7
晶体管 - 特殊用途
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

MOSFET N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMB53D0UDW-7详情
Diodes Incorporated DMB53D0UDW-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
6.010099mg
Number of Elements
1
Voltage Rated
45V NPN 50V N-Channel
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
应用
通用型
附加功能
HIGH RELIABILITY
额定电流
100mA PNP 160mA N-Channel
最大功率耗散
250mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
160mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMB53D0U
引脚数量
6
资历状况
不合格
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
50V
晶体管类型
NPN, N-Channel
连续放电电流(ID)
160mA
栅极至源极电压(Vgs)
12V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最小直流增益(hFE)
200
漏源电阻
5Ohm
VCEsat-最大值
0.3 V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMB53D0UDW-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated







哦! 它是空的。