BF1107,215备选型号: FDN306P
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- 电压 - 额定直流
- 电压
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- 电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 3V 10MA SOT238 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-33V1999Tape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)10mABF11073N-Channel2013-06-14 00:00:00ROHS3 Compliant------------------------------------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount10 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-32.6A Ta2001Tape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)-2.6A----ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 5 days ago)Tin表面贴装表面贴装3SuperSOT-3-55°C~150°C TJPowerTrench®SMD/SMT40MOhm150°C-55°C-12V12VSingle26A500mW11 nsP-Channel40mOhm @ 2.6A, 4.5V1.5V @ 250μA1138pF @ 6V17nC @ 4.5V10ns12V±8V10 ns-2.6A-600mV8V-12V-12V1.138nF40mOhm40 mΩ-600 mV940μm2.92mm1.4mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDN306P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |
![]() | FDN304PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 | 对比 |
![]() | FDN337N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 | 对比 |




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