ON Semiconductor FDN306P
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FDN306P
1807-FDN306P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount
--最小包装量--
FDN306P详情
ON Semiconductor FDN306P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SuperSOT-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
38 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2001
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电阻
40MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-12V
额定电流
-2.6A
电压
12V
元素配置
Single
电流
26A
功率耗散
500mW
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
40mOhm @ 2.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1138pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 4.5V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
-2.6A
阈值电压
-600mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-12V
双电源电压
-12V
输入电容
1.138nF
漏源电阻
40mOhm
最大rds
40 mΩ
栅源电压
-600 mV
高度
940μm
长度
2.92mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDN306P拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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