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首页 全部分类 BF1202WR,135 vs EFC6604R-TR

BF1202WR,135备选型号: EFC6604R-TR

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  • 场效应管类型
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BF1202WR,135
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP
    SC-82A, SOT-343
    10V
    Tape & Reel (TR)
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    30mA
    unknown
    400MHz
    BF1202
    4
    12mA
    N-Channel Dual Gate
    30.5dB
    0.9dB
    5V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    EFC6604R-TR
    ON Semiconductor
    Dual N-Channel Power MOSFET, 12V, 13A, 9.0mO
    6-XFBGA
    2
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    30 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6
    SILICON
    150°C TJ
    yes
    6
    EAR99
    1.6W
    BOTTOM
    BALL
    2
    Dual
    DEPLETION MODE
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    无卤素
    29nC @ 4.5V
    12V
    13A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    9mOhm
    无铅
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