EFC6604R-TR
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ON Semiconductor EFC6604R-TR

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型号

EFC6604R-TR

utmel 编号

1807-EFC6604R-TR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-XFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Dual N-Channel Power MOSFET, 12V, 13A, 9.0mO

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EFC6604R-TR
EFC6604R-TR ON Semiconductor Dual N-Channel Power MOSFET, 12V, 13A, 9.0mO

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EFC6604R-TR详情

ON Semiconductor EFC6604R-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

  • 工厂交货时间

    30 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-XFBGA

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2016

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    1.6W

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 无卤素

    无卤素

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    29nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    12V

  • 连续放电电流(ID)

    13A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate, 2.5V Drive

  • 漏源电阻

    9mOhm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & EFC6604R-TR相似的参数规格。

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EFC6604R-TR拓展信息

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FDS4935BZ
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FDC6303N
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FDC6301N
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FDC6333C
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FDG8850NZ
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