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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.424293
10
¥4.173861
100
¥3.937601
500
¥3.714725
1000
¥3.504454
ON Semiconductor EFC6604R-TR
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- 对比
EFC6604R-TR
1807-EFC6604R-TR
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-XFBGA
大陆
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Dual N-Channel Power MOSFET, 12V, 13A, 9.0mO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
EFC6604R-TR详情
ON Semiconductor EFC6604R-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
30 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFBGA
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.6W
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
DEPLETION MODE
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
12V
连续放电电流(ID)
13A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏源电阻
9mOhm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
EFC6604R-TR拓展信息











哦! 它是空的。