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首页 全部分类 BF1206,115 vs BSV236SPH6327XTSA1

BF1206,115备选型号: BSV236SPH6327XTSA1

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 额定电流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 增益
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 噪声图
  • 电压-测试
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 系列
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BF1206,115
    NXP USA Inc.
    RF MOSFET Transistors TAPE-7 MOS-RFSS
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.21.00.75
    30mA
    鸥翼
    260
    unknown
    400MHz
    40
    6
    R-PDSO-G6
    不合格
    COMPLEX
    DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
    18mA
    AMPLIFIER
    N-Channel Dual Gate
    30dB
    0.03A
    6V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.18W
    1.3dB
    5V
    0.03 pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSV236SPH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SOT-363 T/R
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    SILICON
    1.5A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2000
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    -1.5A
    鸥翼
    未说明
    -
    -
    未说明
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6
    -55°C~150°C TJ
    OptiMOS™
    yes
    雪崩 额定
    -20V
    DUAL
    560mW
    P-Channel
    175m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.2V @ 8μA
    无卤素
    228pF @ 15V
    5.7nC @ 4.5V
    8.5ns
    20V
    ±12V
    1.5A
    12V
    -20V
    2mm
    1.25mm
    含铅
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BF1205,115 BF1205,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP 对比
BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SPH6327XTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SOT-363 T/R 对比