Infineon Technologies BSV236SPH6327XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

560mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-1.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

560mW

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

175m Ω @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 8μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

228pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.7nC @ 4.5V

上升时间

8.5ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

连续放电电流(ID)

1.5A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大双电源电压

-20V

长度

2mm

宽度

1.25mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅