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首页 全部分类 BF998E6327HTSA1 vs BG3130H6327XTSA1

BF998E6327HTSA1备选型号: BG3130H6327XTSA1

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  • 无卤素
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  • 增益
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  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 噪声图
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 晶体管应用
  • 电压-测试
  • Infineon Technologies
    BF998E6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-253-4, TO-253AA
    4
    1
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    150°C
    -55°C
    12V
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    30mA
    45MHz
    BF998
    4
    SINGLE
    1
    DUAL GATE, DEPLETION MODE
    SOURCE
    10mA
    不含卤素
    N-Channel
    30mA
    8V
    28dB
    0.03A
    1.2pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2.8dB
    1mm
    2.9mm
    1.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BG3130H6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    2
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    150°C
    -55°C
    -
    200mW
    -
    鸥翼
    25mA
    800MHz
    BG3130
    -
    -
    -
    DUAL GATE, DEPLETION MODE
    -
    14mA
    无卤素
    2 N-Channel (Dual)
    25mA
    6V
    24dB
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.3dB
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    低噪音
    未说明
    未说明
    AMPLIFIER
    5V
  • 添加型号
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