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首页 全部分类 BFG10W/X,115 vs PBLS2002S,115

BFG10W/X,115备选型号: PBLS2002S,115

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 最高频段
  • 集电极-基极电容-最大值
  • RoHS状态
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • NXP USA Inc.
    BFG10W/X,115
    NXP USA Inc.
    RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO
    表面贴装
    SOT-343 Reverse Pinning
    YES
    SILICON
    250mA
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1995
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    8541.21.00.75
    DUAL
    鸥翼
    260
    unknown
    40
    BFG10
    4
    R-PDSO-G4
    不合格
    SINGLE
    COLLECTOR
    400mW
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    25 @ 50mA 5V
    10V
    1.9GHz
    0.4W
    超高频B型
    3pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PBLS2002S,115
    NXP USA Inc.
    TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    SILICON
    150°C
    -
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e4
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    8541.21.00.95
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    PBLS2002
    8
    R-PDSO-G8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
    -
    1.5W
    SWITCHING
    NPN和PNP
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    30 @ 10mA 5V / 150 @ 2A 2V
    50V 20V
    100MHz
    1.5W
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    1μA 100nA
    150mV @ 500μA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
    100MHz
    4.7k Ω
    4.7k Ω
    205ns
    41ns
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