NXP USA Inc. BFG10W/X,115
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BFG10W/X,115
1786-BFG10W/X,115
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SOT-343 Reverse Pinning
大陆
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RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO
1最小包装量--
BFG10W/X,115详情
NXP USA Inc. BFG10W/X,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-343 Reverse Pinning
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
250mA
Number of Elements
1
操作温度
175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1995
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BFG10
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
400mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
25 @ 50mA 5V
电压 - 集射极击穿(最大值)
10V
频率转换
1.9GHz
最大耗散功率(Abs)
0.4W
最高频段
超高频B型
集电极-基极电容-最大值
3pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BFG10W/X,115拓展信息
NXP USA Inc.
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