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首页 全部分类 BFP842ESDH6327XTSA1 vs BFG425W,115

BFP842ESDH6327XTSA1备选型号: BFG425W,115

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  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 最高频段
  • 环境耗散-最大值
  • Infineon Technologies
    BFP842ESDH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    IC TRANSISTOR RF NPN SOT343
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-82A, SOT-343
    4
    3.7V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    120mW
    未说明
    60GHz
    未说明
    BFP842
    无卤素
    NPN
    3.25V
    40mA
    150 @ 15mA 2.5V
    26dB
    3.7V
    4.1V
    4.1V
    40mA
    0.65dB @ 3.5GHz
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BFG425W,115
    NXP USA Inc.
    RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
    -
    -
    -
    表面贴装
    SC-82A, SOT-343
    -
    30mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    260
    -
    40
    BFG425
    -
    NPN
    -
    -
    50 @ 25mA 2V
    20dB
    -
    -
    -
    -
    0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    4
    Tin (Sn)
    8541.21.00.75
    DUAL
    鸥翼
    4
    R-PDSO-G4
    不合格
    SINGLE
    EMITTER
    135mW
    SWITCHING
    NPN
    4.5V
    25000MHz
    25GHz
    0.135W
    L B
    0.135W
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