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首页 全部分类 BFP842ESDH6327XTSA1 vs BFU710F,115

BFP842ESDH6327XTSA1备选型号: BFU710F,115

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  • 基本部件号
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 增益
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • 达到SVHC
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  • 无铅
  • 引脚数量
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 频率转换
  • 源Url状态检查日期
  • Infineon Technologies
    BFP842ESDH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    IC TRANSISTOR RF NPN SOT343
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-82A, SOT-343
    4
    3.7V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    120mW
    未说明
    60GHz
    未说明
    BFP842
    无卤素
    NPN
    3.25V
    40mA
    150 @ 15mA 2.5V
    26dB
    3.7V
    4.1V
    4.1V
    40mA
    0.65dB @ 3.5GHz
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BFU710F,115
    NXP USA Inc.
    TRANSISTOR NPN SOT343F
    13 Weeks
    -
    -
    表面贴装
    SOT-343F
    -
    10mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    BFU710
    -
    NPN
    -
    -
    200 @ 1mA 2V
    -
    -
    -
    -
    -
    0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    4
    136mW
    2.8V
    43GHz
    2013-06-14 00:00:00
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