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首页 全部分类 BFR843EL3E6327XTSA1 vs BFU768F,115

BFR843EL3E6327XTSA1备选型号: BFU768F,115

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  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 增益
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 最高频段
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数量
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • Infineon Technologies
    BFR843EL3E6327XTSA1
    Infineon Technologies
    The BFR843EL3 is a robust low noise broadband pre-matched bipolar RF transistor.
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    2.6V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Gold (Au)
    125mW
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    未说明
    SINGLE
    EMITTER
    125mW
    AMPLIFIER
    无卤素
    NPN
    NPN
    2.25V
    55mA
    25.5dB
    2.6V
    2.9V
    X B
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BFU768F,115
    NXP USA Inc.
    TRANS RF NPN 2.8V 70MA DFP4
    13 Weeks
    -
    表面贴装
    SOT-343F
    -
    -
    70mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    220mW
    -
    -
    -
    NPN
    -
    -
    13.1dB
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    4
    155 @ 10mA 2V
    2.8V
    1.1dB @ 2.4GHz
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