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1

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10

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500

￥3.293713
1000

￥3.107277

Infineon Technologies BFR843EL3E6327XTSA1

Name: BFR843EL3E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BFR843EL3E6327XTSA1
Price: 3.92 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BFR843EL3E6327XTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BFR843EL3E6327XTSA1

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

3-XFDFN

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

The BFR843EL3 is a robust low noise broadband pre-matched bipolar RF transistor.

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BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies The BFR843EL3 is a robust low noise broadband pre-matched bipolar RF transistor.

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BFR843EL3E6327XTSA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies BFR843EL3E6327XTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

8 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

3-XFDFN
引脚数

3
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

2.6V
Number of Elements

1
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2013
JESD-609代码

e4
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Gold (Au)
最大功率耗散

125mW
端子位置

BOTTOM
终端形式

无铅
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
配置

SINGLE
箱体转运

EMITTER
功率 - 最大

125mW
晶体管应用

AMPLIFIER
无卤素

无卤素
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

2.25V
最大集电极电流

55mA
增益

25.5dB
最大击穿电压

2.6V
集电极基极电压(VCBO)

2.9V
最高频段

X B
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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BFR843EL3E6327XTSA1拓展信息

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