BGA628L7E6327XTMA1备选型号: BGA6130,118

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  • 电流源
  • Infineon Technologies
    SILICON GERMANIUM WIDE BAND LOW NOISE AMPLIFIER
    表面贴装
    6-XFDFN Exposed Pad
    7
    150°C
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    35mW
    COMPONENT
    400MHz~6GHz
    2.75V
    1575.42MHz
    5.8mA
    21.5dB
    宽带低功率
    通用型
    6dBm
    50Ohm
    0.75dB
    -20.5dBm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    RF Amp Chip Single GP 2.7GHz 3.9V 8-Pin HVSON EP T/R
    表面贴装
    8-VFDFN Exposed Pad
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    400MHz~2.7GHz
    -
    915MHz
    -
    14dB ~ 17dB
    -
    ISM
    -
    -
    4dB
    29dBm
    -
    ROHS3 Compliant
    8 Weeks
    3.6V
    8
    70mA
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BGA6130,118 BGA6130,118 NXP USA Inc. 射频放大器 8-VFDFN Exposed Pad RF Amp Chip Single GP 2.7GHz 3.9V 8-Pin HVSON EP T/R 对比
MAAL-007304-TR3000 MAAL-007304-TR3000 M/A-Com Technology Solutions 射频放大器 SOT-23-6 IC RF AMP GP 500MHZ-3GHZ SOT26 对比
MC13850EPR2 MC13850EPR2 NXP USA Inc. 射频放大器 8-UFDFN Exposed Pad IC RF AMP GP 400MHZ-2.5GHZ 8MLPD 对比