Infineon Technologies BGA628L7E6327XTMA1
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BGA628L7E6327XTMA1
1211-BGA628L7E6327XTMA1
射频放大器
6-XFDFN Exposed Pad
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SILICON GERMANIUM WIDE BAND LOW NOISE AMPLIFIER
1最小包装量--
BGA628L7E6327XTMA1详情
Infineon Technologies BGA628L7E6327XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFDFN Exposed Pad
引脚数
7
Operating Temperature (Max.)
150°C
Operating Temperature (Min.)
-65°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
35mW
结构
COMPONENT
频率
400MHz~6GHz
工作电源电压
2.75V
测试频率
1575.42MHz
工作电源电流
5.8mA
增益
21.5dB
射频/微波器件类型
宽带低功率
射频类型
通用型
输入功率-最大(CW)
6dBm
特性阻抗
50Ohm
噪声图
0.75dB
P1dB
-20.5dBm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
BGA628L7E6327XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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