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首页 全部分类 BGA736L16E6327XTSA1 vs BGA748L16E6327XTSA1

BGA736L16E6327XTSA1备选型号: BGA748L16E6327XTSA1

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  • 射频类型
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  • 工作电源电压
  • 通道数量
  • 电源电流
  • 无卤素
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BGA736L16E6327XTSA1
    Infineon Technologies
    TRI-BAND HSDPA LNA (2100, 1900/2100, 800/900 MHZ)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-XFQFN Exposed Pad
    16
    85°C
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    低噪音
    2.7V~3V
    COMPONENT
    unknown
    800MHz 900MHz 1.8GHz 1.9GHz 2.1GHz
    1.9GHz
    5.3mA
    16.1dB
    窄带低功耗
    W-CDMA, HSPDA
    4dBm
    50Ohm
    7.8dB
    -11dBm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BGA748L16E6327XTSA1
    Infineon Technologies
    RF Amplifier RF SILICON MMIC
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-XFQFN Exposed Pad
    16
    Commercial grade
    Tape & Reel (TR)
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    3.6V
    COMPONENT
    -
    800MHz 900MHz 1.9GHz 2.1GHz
    880MHz
    -
    16dB
    窄带低功耗
    UMTS
    -
    50Ohm
    1.1dB
    -7dBm
    符合RoHS标准
    Gold
    e4
    85°C
    -30°C
    2.8V
    4
    10mA
    无卤素
    无
    无铅
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
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MC13820FCR2 MC13820FCR2 NXP USA Inc. 射频放大器 12-VFQFN Exposed Pad IC W/NOISE AMPLIFIER BASE 12-QFN 对比