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BGA736L16E6327XTSA1备选型号: MC13820FCR2

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射频/微波器件类型
射频类型
输入功率-最大(CW)
特性阻抗
噪声图
P1dB
RoHS状态
电流源

BGA736L16E6327XTSA1

Infineon Technologies

TRI-BAND HSDPA LNA (2100, 1900/2100, 800/900 MHZ)

17 Weeks
表面贴装
表面贴装
16-XFQFN Exposed Pad
16
85°C
Tape & Reel (TR)
2009
Obsolete
1 (Unlimited)
低噪音
2.7V~3V
COMPONENT
unknown
800MHz 900MHz 1.8GHz 1.9GHz 2.1GHz
1.9GHz
5.3mA
16.1dB
窄带低功耗
W-CDMA, HSPDA
4dBm
50Ohm
7.8dB
-11dBm
符合RoHS标准
-
MC13820FCR2

NXP USA Inc.

IC W/NOISE AMPLIFIER BASE 12-QFN

-
-
表面贴装
12-VFQFN Exposed Pad
-
-
Tape & Reel (TR)
2004
Obsolete
3 (168 Hours)
-
2.7V~3V
-
-
800MHz~2.5GHz
1.575GHz
-
18dB
-
Cellular, ISM, PCS, GPS
-
-
1.25dB
-10dBm
ROHS3 Compliant
2.8mA
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	BGA748L16E6327XTSA1	Infineon Technologies	射频放大器	16-XFQFN Exposed Pad	RF Amplifier RF SILICON MMIC	对比
	MC13820FCR2	NXP USA Inc.	射频放大器	12-VFQFN Exposed Pad	IC W/NOISE AMPLIFIER BASE 12-QFN	对比