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首页 全部分类 BGR405H6327XTSA1 vs BFG403W,115

BGR405H6327XTSA1备选型号: BFG403W,115

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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 最高频段
  • 环境耗散-最大值
  • Infineon Technologies
    BGR405H6327XTSA1
    Infineon Technologies
    TRANS RF NPN 5V 12MA SOT343
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-82A, SOT-343
    SILICON
    5V
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    50mW
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    25GHz
    未说明
    R-PDSO-G4
    SINGLE
    50mW
    AMPLIFIER
    无卤素
    NPN
    NPN
    4.5V
    12mA
    1dB ~ 1.6dB @ 400MHz ~ 1.8GHz
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BFG403W,115
    NXP USA Inc.
    RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 4.5V, 17GHZ, 4-SOT-343R
    -
    -
    -
    表面贴装
    SC-82A, SOT-343
    SILICON
    3.6mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    40
    R-PDSO-G4
    SINGLE
    -
    SWITCHING
    -
    NPN
    NPN
    -
    -
    1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    e3
    Tin (Sn)
    低噪音
    8541.21.00.75
    BFG403
    4
    不合格
    EMITTER
    16mW
    50 @ 3mA 2V
    20dB ~ 22dB
    4.5V
    17000MHz
    17GHz
    0.016W
    L B
    0.016W
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