Infineon Technologies BGR405H6327XTSA1
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BGR405H6327XTSA1
1211-BGR405H6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SC-82A, SOT-343
大陆
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TRANS RF NPN 5V 12MA SOT343
1最小包装量--
BGR405H6327XTSA1详情
Infineon Technologies BGR405H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-82A, SOT-343
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
5V
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
50mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
25GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G4
配置
SINGLE
功率耗散
50mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
4.5V
最大集电极电流
12mA
噪音数字(分贝类型@ f)
1dB ~ 1.6dB @ 400MHz ~ 1.8GHz
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BGR405H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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