BGU6104,147备选型号: BGB707L7ESDE6327XTSA1
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- 射频/微波器件类型
- 射频类型
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- 源Url状态检查日期
- RoHS状态
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 电源电压
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 筛选水平
- 通信IC类型
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RF Amp Chip Single GP 4GHz 5V 6-Pin HXSON EP T/R13 Weeks表面贴装6-XFDFN Exposed PadYES85°CTape & Reel (TR)2010e3活跃1 (Unlimited)6Tin (Sn)1.5V~5V1COMPONENT40MHz~4GHzSON3V3.5GHz40mA16.5dB宽带低功率通用型2.2dB13dBm2013-06-14 00:00:00ROHS3 Compliant-------------
- RF Amp Chip Single GP 10GHz 4V 6-Pin TSLP EP T/R8 Weeks表面贴装6-XFDFN Exposed PadYESAutomotive gradeTape & Reel (TR)2009e4活跃1 (Unlimited)7Gold (Au)1.8V~4V1-2.3GHz 2.7GHz--1.5GHz25mA27dB-802.11a/b/g/n0.7dB8dBm-ROHS3 Compliant8542.39.00.01DUAL无铅未说明3V0.5mm未说明R-PDSO-N7AEC-Q101电信电路2mm0.5mm1.3mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BGB707L7ESDE6327XTSA1 | Infineon Technologies | 射频放大器 | 6-XFDFN Exposed Pad | RF Amp Chip Single GP 10GHz 4V 6-Pin TSLP EP T/R | 对比 |
![]() | BGU6102,147 | NXP USA Inc. | 射频放大器 | 6-XFDFN Exposed Pad | IC AMP MMIC WIDEBAND 6HXSON | 对比 |
![]() | BGU6101,147 | NXP USA Inc. | 射频放大器 | 6-XFDFN Exposed Pad | RF Amp Chip Single GP 4GHz 5V 6-Pin HXSON EP T/R | 对比 |




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