BGU6104,147备选型号: BGU6102,147

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  • 功能数量
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  • 引脚数量
  • 电源
  • 测试频率
  • 电流源
  • 增益
  • 射频/微波器件类型
  • 射频类型
  • 噪声图
  • P1dB
  • 源Url状态检查日期
  • RoHS状态
  • NXP USA Inc.
    RF Amp Chip Single GP 4GHz 5V 6-Pin HXSON EP T/R
    13 Weeks
    表面贴装
    6-XFDFN Exposed Pad
    YES
    85°C
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    1.5V~5V
    1
    COMPONENT
    40MHz~4GHz
    SON
    3V
    3.5GHz
    40mA
    16.5dB
    宽带低功率
    通用型
    2.2dB
    13dBm
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
  • NXP USA Inc.
    IC AMP MMIC WIDEBAND 6HXSON
    13 Weeks
    表面贴装
    6-XFDFN Exposed Pad
    -
    Industrial grade
    Tape & Reel (TR)
    2010
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    1.5V~5V
    -
    -
    40MHz~4GHz
    SON
    -
    3.5GHz
    20mA
    19dB
    -
    通用型
    2.3dB
    9.5dBm
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BGB707L7ESDE6327XTSA1 BGB707L7ESDE6327XTSA1 Infineon Technologies 射频放大器 6-XFDFN Exposed Pad RF Amp Chip Single GP 10GHz 4V 6-Pin TSLP EP T/R 对比
BGU6102,147 BGU6102,147 NXP USA Inc. 射频放大器 6-XFDFN Exposed Pad IC AMP MMIC WIDEBAND 6HXSON 对比
BGU6101,147 BGU6101,147 NXP USA Inc. 射频放大器 6-XFDFN Exposed Pad RF Amp Chip Single GP 4GHz 5V 6-Pin HXSON EP T/R 对比