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BS270备选型号: BS170
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- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 宽度
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压
- 电流
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET Transistor, N Channel, 400 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V11 WeeksCopper, Silver, TinTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)通孔通孔3200mgSILICON400mA Ta2.5V @ 250μA1998Bulk-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)3EAR992MOhmTin (Sn)60VBOTTOM400mABS270Single增强型MOSFET630mWN-ChannelSWITCHING2 Ω @ 500mA, 10V50pF @ 25V±20V400mA2.1V20V0.4A60V2.1 V5 pF4.7mm3.93mm4.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170.....MOSFET Transistor, N Channel, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V11 WeeksCopper, Silver, TinTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)通孔通孔34.535924g-500mA Ta3V @ 1mA2005Bulk-55°C~150°C TJ--ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)--5Ohm-60V-500mABS170Single-830mWN-Channel-5Ohm @ 200mA, 10V40pF @ 10V±20V500mA2.1V20V-60V2.1 V-5.33mm4.19mm5.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅TO-92-3150°C-55°C60V5A60V24pF5Ohm5 Ω
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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