ON Semiconductor BS170
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BS170
1807-BS170
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170.....MOSFET Transistor, N Channel, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
--最小包装量--
BS170详情
ON Semiconductor BS170重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
11 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
供应商器件包装
TO-92-3
质量
4.535924g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
500mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
830mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2005
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
5Ohm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
60V
额定电流
500mA
基本部件号
BS170
电压
60V
元素配置
Single
电流
5A
功率耗散
830mW
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
40pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
500mA
阈值电压
2.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
输入电容
24pF
漏源电阻
5Ohm
最大rds
5 Ω
栅源电压
2.1 V
高度
5.33mm
长度
5.2mm
宽度
4.19mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BS170拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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