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首页 全部分类 BSB008NE2LXXUMA1 vs IRFH4251DTRPBF

BSB008NE2LXXUMA1备选型号: IRFH4251DTRPBF

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  • 阈值电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSB008NE2LXXUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-WDSON
    3
    SILICON
    2.8W Ta 89W Tc
    2V @ 250μA
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    -40°C~150°C TJ
    1997
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Silver/Nickel (Ag/Ni)
    超低电阻
    8541.29.00.95
    BOTTOM
    无铅
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    0.8m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    16000pF @ 12V
    343nC @ 10V
    47.2ns
    25V
    ±20V
    32.4 ns
    46A
    20V
    180A
    0.0008Ohm
    400A
    25V
    600 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH4251DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    64A 188A
    -
    Tape & Reel (TR)
    FASTIRFET™
    -55°C~150°C TJ
    2013
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    SOURCE
    -
    2 N-Channel (Dual), Schottky
    SWITCHING
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    -
    1314pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    -
    25V
    -
    -
    188A
    20V
    45A
    0.0046Ohm
    -
    -
    61 mJ
    ROHS3 Compliant
    63W
    Dual
    31W 63W
    2.1V @ 35μA
    1.6V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    900μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    无
    无铅
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