Infineon Technologies BSB008NE2LXXUMA1

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-WDSON

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 89W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Turn Off Delay Time

75 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

46A Ta 180A Tc

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

操作温度

-40°C~150°C TJ

已出版

1997

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Silver/Nickel (Ag/Ni)

附加功能

超低电阻

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12.6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

0.8m Ω @ 30A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

16000pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

343nC @ 10V

上升时间

47.2ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

32.4 ns

连续放电电流(ID)

46A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

180A

漏极-源极导通最大电阻

0.0008Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

25V

雪崩能量等级（Eas）

600 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant