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首页 全部分类 BSB012NE2LXIXUMA1 vs STL220N3LLH7

BSB012NE2LXIXUMA1备选型号: STL220N3LLH7

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  • 元素配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • Infineon Technologies
    BSB012NE2LXIXUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
    26 Weeks
    Nickel
    表面贴装
    表面贴装
    3-WDSON
    3
    170A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e4
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    未说明
    未说明
    Single
    N-Channel
    1.2m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    5852pF @ 12V
    82nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    4.6 ns
    170A
    20V
    25V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL220N3LLH7
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    220A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    Single
    N-Channel
    1.1m Ω @ 25A, 10V
    2.2V @ 250μA
    -
    8650pF @ 25V
    46nC @ 4.5V
    115ns
    ±20V
    51 ns
    220A
    20V
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    810μOhm
    STL220
    1
    55 ns
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