Infineon Technologies BSB012NE2LXIXUMA1
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BSB012NE2LXIXUMA1
1211-BSB012NE2LXIXUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-WDSON
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MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
1最小包装量--
BSB012NE2LXIXUMA1详情
Infineon Technologies BSB012NE2LXIXUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Nickel
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-WDSON
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
170A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.8W Ta 57W Tc
Turn Off Delay Time
34 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5852pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
82nC @ 10V
上升时间
6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.6 ns
连续放电电流(ID)
170A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSB012NE2LXIXUMA1拓展信息
Infineon Technologies
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