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首页 全部分类 BSB028N06NN3GXUMA1 vs IPP100N04S4H2AKSA1

BSB028N06NN3GXUMA1备选型号: IPP100N04S4H2AKSA1

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    BSB028N06NN3GXUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
    26 Weeks
    表面贴装
    3-WDSON
    YES
    7
    SILICON
    22A Ta 90A Tc
    4V @ 102μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2012
    e4
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    3
    EAR99
    Silver/Nickel (Ag/Ni)
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    未说明
    R-MBCC-N3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    12000pF @ 30V
    143nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    6 ns
    90A
    3V
    20V
    22A
    0.0028Ohm
    60V
    360A
    590 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP100N04S4H2AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
    14 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    SILICON
    100A Tc
    4V @ 70μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2012
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    18 ns
    N-Channel
    -
    2.7m Ω @ 100A, 10V
    无卤素
    7180pF @ 25V
    90nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    100A
    -
    20V
    -
    0.0027Ohm
    -
    -
    280 mJ
    -
    符合RoHS标准
    -
    40V
    Single
    75A
    TO-220AB
    40V
    15.65mm
    10mm
    4.4mm
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