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首页 全部分类 BSB028N06NN3GXUMA1 vs IRFB7540PBF

BSB028N06NN3GXUMA1备选型号: IRFB7540PBF

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • RoHS状态
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  • 质量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    BSB028N06NN3GXUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
    26 Weeks
    表面贴装
    3-WDSON
    YES
    7
    SILICON
    22A Ta 90A Tc
    4V @ 102μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2012
    e4
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    3
    EAR99
    Silver/Nickel (Ag/Ni)
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    未说明
    R-MBCC-N3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    12000pF @ 30V
    143nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    6 ns
    90A
    3V
    20V
    22A
    0.0028Ohm
    60V
    360A
    590 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB7540PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    SILICON
    110A Tc
    3.7V @ 100μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.1m Ω @ 65A, 10V
    -
    4555pF @ 25V
    130nC @ 10V
    76ns
    ±20V
    56 ns
    110A
    3.7V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    6.000006g
    1
    Single
    60V
    TO-220AB
    60V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
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