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首页 全部分类 BSB044N08NN3GXUMA1 vs FDMS86322

BSB044N08NN3GXUMA1备选型号: FDMS86322

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  • 场效应管类型
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  • 上升时间
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  • 最大双电源电压
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  • 雪崩能量等级（Eas）
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSB044N08NN3GXUMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 80V 18A 7-Pin WDSON
    17 Weeks
    Silver
    表面贴装
    表面贴装
    3-WDSON
    3
    SILICON
    18A Ta 90A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e4
    yes
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    3
    EAR99
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4.4m Ω @ 30A, 10V
    3.5V @ 97μA
    无卤素
    5700pF @ 40V
    73nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    18A
    2.8V
    20V
    80V
    0.0044Ohm
    660 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS86322
    ON Semiconductor
    N-Channel 80 V 7.65 mO 55 nC SMT PowerTrench® Mosfet - PQFN-8
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A Ta 60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    7.65m Ω @ 13A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    3000pF @ 50V
    55nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    13A
    2.9V
    20V
    -
    0.00765Ohm
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    68.1mg
    Tin (Sn)
    R-PDSO-F5
    Single
    104W
    15 ns
    13 ns
    MO-240AA
    60A
    80V
    200A
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无
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