Infineon Technologies BSB044N08NN3GXUMA1

工厂交货时间

17 Weeks

触点镀层

Silver

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-WDSON

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Ta 90A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta 78W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.4m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 97μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5700pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

73nC @ 10V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

18A

阈值电压

2.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

80V

漏极-源极导通最大电阻

0.0044Ohm

雪崩能量等级（Eas）

660 mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅