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首页 全部分类 BSC022N04LSATMA1 vs BSC019N04LSATMA1

BSC022N04LSATMA1备选型号: BSC019N04LSATMA1

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    BSC022N04LSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    BSC022N04
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    2600pF @ 20V
    37nC @ 10V
    6.8ns
    ±20V
    100A
    20V
    40V
    25A
    0.0032Ohm
    40V
    400A
    70 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC019N04LSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON
    26 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    27A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2012
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    1.9mOhm @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    2900pF @ 20V
    41nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    100A
    20V
    40V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    PG-TDSON-8-1
    150°C
    -55°C
    40V
    2.9nF
    1.5mOhm
    1.9 mΩ
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