注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.125506
10
¥10.495761
100
¥9.901662
500
¥9.341189
1000
¥8.812443
Infineon Technologies BSC019N04LSATMA1
- 收藏
- 对比
BSC019N04LSATMA1
1211-BSC019N04LSATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSC019N04LSATMA1详情
Infineon Technologies BSC019N04LSATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PG-TDSON-8-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
27A Ta 100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 78W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2900pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
41nC @ 10V
上升时间
4ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
40V
输入电容
2.9nF
漏源电阻
1.5mOhm
最大rds
1.9 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
BSC019N04LSATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









哦! 它是空的。