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首页 全部分类 BSC030N03LSGATMA1 vs IRF8788TRPBF

BSC030N03LSGATMA1备选型号: IRF8788TRPBF

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    BSC030N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    23A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2009
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    69W
    DRAIN
    7.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    4300pF @ 15V
    55nC @ 10V
    5.2ns
    ±20V
    4.8 ns
    23A
    20V
    30V
    0.0047Ohm
    400A
    75 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8788TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    24A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    23 ns
    N-Channel
    -
    2.8m Ω @ 24A, 10V
    2.35V @ 100μA
    -
    5720pF @ 15V
    66nC @ 4.5V
    24ns
    ±20V
    11 ns
    24A
    20V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2.8MOhm
    30V
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
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IRF8788PBF IRF8788PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO 对比
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