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首页 全部分类 BSC030N03MSGATMA1 vs IRF8788TRPBF

BSC030N03MSGATMA1备选型号: IRF8788TRPBF

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  • 无铅
  • 电阻
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  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC030N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    21A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2010
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    69W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    5700pF @ 15V
    73nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    21A
    16V
    30V
    400A
    75 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8788TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    24A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    N-Channel
    -
    2.8m Ω @ 24A, 10V
    2.35V @ 100μA
    -
    5720pF @ 15V
    66nC @ 4.5V
    24ns
    ±20V
    24A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2.8MOhm
    23 ns
    11 ns
    30V
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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