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首页 全部分类 BSC034N03LSGATMA1 vs IRFH7934TR2PBF

BSC034N03LSGATMA1备选型号: IRFH7934TR2PBF

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  • 栅源电压
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  • Infineon Technologies
    BSC034N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON
    39 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    22A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    6.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.4m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    4300pF @ 15V
    52nC @ 10V
    4.8ns
    ±20V
    4.6 ns
    100A
    2.2V
    20V
    30V
    22A
    400A
    55 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
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  • Infineon Technologies
    IRFH7934TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    24A Ta 76A Tc
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2009
    -
    -
    Obsolete
    2 (1 Year)
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    3.1W
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    3.5mOhm @ 24A, 10V
    2.35V @ 50μA
    -
    3100pF @ 15V
    30nC @ 4.5V
    16ns
    -
    7.5 ns
    24A
    1.8V
    20V
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    8-PQFN (5x6)
    3.5MOhm
    150°C
    -55°C
    3.1W
    Single
    30V
    30V
    3.1nF
    30 ns
    3.5mOhm
    3.5 mΩ
    1.8 V
    1.1684mm
    5.2324mm
    6.1468mm
    无
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