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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.274646
10
¥4.032685
100
¥3.80442
500
¥3.589076
1000
¥3.38592
Infineon Technologies BSC050N03LSGATMA1
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- 对比
BSC050N03LSGATMA1
1211-BSC050N03LSGATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
立即发货

Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm 17 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSC050N03LSGATMA1详情
Infineon Technologies BSC050N03LSGATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
39 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PG-TDSON-8-5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
18A Ta 80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 50W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2000
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
50W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2800pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 10V
上升时间
4ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
80A
阈值电压
2.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
输入电容
2.8nF
漏源电阻
4.2mOhm
最大rds
5 mΩ
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
BSC050N03LSGATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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