Infineon Technologies BSC883N03LSGATMA1

工厂交货时间

39 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Ta 98A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 57W Tc

Turn Off Delay Time

26 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.8m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2800pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34nC @ 10V

上升时间

4.4ns

漏源电压 (Vdss)

34V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

98A

阈值电压

2.2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

17A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

392A

DS 击穿电压-最小值

34V

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant