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首页 全部分类 BSC035N10NS5ATMA1 vs AUIRF7669L2TR

BSC035N10NS5ATMA1备选型号: AUIRF7669L2TR

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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 无卤素
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC035N10NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
    26 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    2.5W Ta 156W Tc
    3.8V @ 115μA
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    2013
    OptiMOS™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 50A, 10V
    无卤素
    6500pF @ 50V
    87nC @ 10V
    ±20V
    100A
    3V
    20V
    100V
    0.0035Ohm
    100V
    400A
    300 mJ
    150°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRF7669L2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
    16 Weeks
    DirectFET™ Isometric L8
    表面贴装
    表面贴装
    15
    SILICON
    1
    5V @ 250μA
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    2011
    HEXFET®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    9
    EAR99
    BOTTOM
    -
    -
    -
    R-XBCC-N9
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    100W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.4m Ω @ 68A, 10V
    -
    5660pF @ 25V
    120nC @ 10V
    ±20V
    114A
    -
    20V
    -
    0.0044Ohm
    100V
    460A
    850 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    e3
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    30ns
    14 ns
    375A
    无
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