Infineon Technologies IRF7769L1TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric L8

引脚数

15

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta 124A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.3W Ta 125W Tc

Turn Off Delay Time

92 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

R-XBCC-N3

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

44 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5m Ω @ 74A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11560pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

300nC @ 10V

上升时间

32ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

41 ns

连续放电电流(ID)

124A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

375A

漏极-源极导通最大电阻

0.0035Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

500A

雪崩能量等级（Eas）

260 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅