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首页 全部分类 BSC035N10NS5ATMA1 vs IPB027N10N5ATMA1

BSC035N10NS5ATMA1备选型号: IPB027N10N5ATMA1

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  • 晶体管应用
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  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 质量
  • 元素配置
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • Infineon Technologies
    BSC035N10NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
    26 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    2.5W Ta 156W Tc
    3.8V @ 115μA
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    2013
    OptiMOS™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 50A, 10V
    无卤素
    6500pF @ 50V
    87nC @ 10V
    ±20V
    100A
    3V
    20V
    100V
    0.0035Ohm
    100V
    400A
    300 mJ
    150°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB027N10N5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
    13 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    120A Tc
    3.8V @ 184μA
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    2015
    OptiMOS™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    -
    1
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    26 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.7m Ω @ 100A, 10V
    无卤素
    10300pF @ 50V
    139nC @ 10V
    ±20V
    120A
    -
    20V
    100V
    0.0027Ohm
    100V
    480A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
    含铅
    3.949996g
    Single
    15ns
    17 ns
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