我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
BSC037N08NS5ATMA1备选型号: STL130N8F7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 基本部件号
- 配置
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON26 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8506.605978mgSILICON100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013e3yes活跃1 (Unlimited)5Tin (Sn)DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F51Single增强型MOSFET2.5WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING3.7m Ω @ 50A, 10V3.8V @ 72μA无卤素4200pF @ 40V58nC @ 10V10ns±20V7 ns100A3V20V80V22A0.0037Ohm80V400A150°C1.1mmROHS3 Compliant含铅-------
Trans MOSFET N-CH 80V 130A 8-Pin Power Flat T/R-表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-SILICON130A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VII-e3-活跃1 (Unlimited)5Matte Tin (Sn) - annealedDUALFLAT260--R-PDSO-F52-增强型MOSFET5WDRAIN-N-ChannelSWITCHING3.6m Ω @ 13A, 10V4.5V @ 250μA-6340pF @ 40V96nC @ 10V-±20V-123A-20V---80V560A--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)EAR993.6mOhm超低电阻STL130SINGLE WITH BUILT-IN DIODE无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC030N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON | 对比 |
 | IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 对比 |
 | FDMS86300DC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET | 对比 |
哦! 它是空的。