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BSC040N10NS5ATMA1备选型号: IRF7769L1TRPBF
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
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- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON26 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8506.605978mgSILICON100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013yes活跃1 (Unlimited)5DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F51Single增强型MOSFET139WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING4m Ω @ 50A, 10V3.8V @ 95μA无卤素5300pF @ 50V72nC @ 10V9ns±20V10 ns100A20V100V0.004Ohm100V400A200 mJ150°C1.1mmROHS3 Compliant含铅-----
MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric L815-SILICON20A Ta 124A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-2013-活跃1 (Unlimited)9BOTTOM----R-XBCC-N3--增强型MOSFET3.3WDRAIN44 nsN-ChannelSWITCHING3.5m Ω @ 74A, 10V4V @ 250μA-11560pF @ 25V300nC @ 10V32ns±20V41 ns124A20V-0.0035Ohm-500A260 mJ--ROHS3 Compliant无铅EAR99Single100V375A无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STH150N10F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
 | IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 对比 |
 | STL130N8F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Trans MOSFET N-CH 80V 130A 8-Pin Power Flat T/R | 对比 |
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