STMicroelectronics STH150N10F7-2
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STH150N10F7-2
2381-STH150N10F7-2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET POWER MOSFET
--最小包装量--
STH150N10F7-2详情
STMicroelectronics STH150N10F7-2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
37 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
110A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
250W Tc
Turn Off Delay Time
72 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STH150
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
33 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.9m Ω @ 55A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8115pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
117nC @ 10V
上升时间
57ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
33 ns
连续放电电流(ID)
110A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
高度
4.8mm
长度
10.4mm
宽度
10.57mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STH150N10F7-2拓展信息
STMicroelectronics
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