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首页 全部分类 BSC0501NSIATMA1 vs BSC016N03LSGATMA1

BSC0501NSIATMA1备选型号: BSC016N03LSGATMA1

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  • 场效应管特性
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  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    BSC0501NSIATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    29A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.9m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    2200pF @ 15V
    33nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    100A
    20V
    30V
    29A
    0.0024Ohm
    400A
    20 mJ
    Schottky Diode (Body)
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC016N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP
    -
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    32A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2009
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    DUAL
    FLAT
    未说明
    -
    未说明
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    10000pF @ 15V
    131nC @ 10V
    8.6ns
    ±20V
    100A
    20V
    30V
    32A
    0.0023Ohm
    400A
    290 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    8
    不合格
    125W
    无SVHC
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