BSC0501NSIATMA1备选型号: FDMS8820
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON26 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON29A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013yes活跃1 (Unlimited)5DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1.9m Ω @ 30A, 10V2V @ 250μA无卤素2200pF @ 15V33nC @ 10V4ns±20V100A20V30V29A0.0024Ohm400A20 mJSchottky Diode (Body)ROHS3 Compliant含铅---------------
- MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhm18 Weeks-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON28A Ta 116A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-yes活跃1 (Unlimited)5DUALFLAT---R-PDSO-F5-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING2m Ω @ 28A, 10V2.5V @ 250μA-5315pF @ 15V88nC @ 10V16ns±20V116A20V--0.002Ohm-294 mJ-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)68.1mge3EAR99Tin (Sn)Single78W14 ns13 nsMO-240AA30V1.05mm5mm6mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew | 对比 |
| FDMS8820 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhm | 对比 | |
![]() | IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 40A PQFN | 对比 |





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