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BSC0504NSIATMA1备选型号: IRFH7934TRPBF
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
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- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 达到SVHC
- 无铅
- 终端
- ECCN 代码
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-826 Weeks8-PowerTDFN表面贴装表面贴装8SILICON2V @ 250μA2.5W Ta 30W Tc2013OptiMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJyes活跃1 (Unlimited)5DUALFLAT未说明未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING3.7m Ω @ 30A, 10V无卤素960pF @ 15V15nC @ 10V±20V72A30V21A0.0047Ohm7 mJROHS3 Compliantnot_compliant含铅---------------
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN12 Weeks8-PowerTDFN表面贴装表面贴装8SILICON2.35V @ 50μA24A Ta 76A Tc2009HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ-活跃1 (Unlimited)3DUAL---R-PDSO-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING3.5m Ω @ 24A, 10V-3100pF @ 15V30nC @ 4.5V±20V24A-76A0.0035Ohm97 mJROHS3 Compliant无SVHC-SMD/SMTEAR993.1W12 ns16ns7.5 ns20V30V190A30V1.8 V1.1684mm5.2324mm6.1468mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 24A PQFN | 对比 |
 | IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
 | NTMFS4935NBT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL | 对比 |
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