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BSC0504NSIATMA1备选型号: NTMFS4935NBT1G
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- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
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- 包装
- 操作温度
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 达到SVHC
- 无铅
- 电阻
- 漏源电压 (Vdss)
MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-826 Weeks8-PowerTDFN表面贴装表面贴装8SILICON2V @ 250μA2.5W Ta 30W Tc2013OptiMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJyes活跃1 (Unlimited)5DUALFLAT未说明未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING3.7m Ω @ 30A, 10V无卤素960pF @ 15V15nC @ 10V±20V72A30V21A0.0047Ohm7 mJROHS3 Compliantnot_compliant含铅--
MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL-8-PowerTDFN, 5 Leads表面贴装表面贴装--2V @ 250μA13A Ta 93A Tc2012-Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ-Obsolete1 (Unlimited)---------N-Channel-3.2m Ω @ 30A, 10V-4850pF @ 15V49.4nC @ 10V±20V93A----符合RoHS标准--3.2mOhm30V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 24A PQFN | 对比 |
 | IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
| NTMFS4935NBT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL | 对比 |
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