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首页 全部分类 BSC052N08NS5ATMA1 vs NVMFS5C646NLT1G

BSC052N08NS5ATMA1备选型号: NVMFS5C646NLT1G

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 配置
  • Infineon Technologies
    BSC052N08NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON
    26 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    506.605978mg
    SILICON
    95A Tc
    3.8V @ 49μA
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    -55°C~150°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.2m Ω @ 47.5A, 10V
    无卤素
    2900pF @ 40V
    40nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    5 ns
    19A
    20V
    80V
    0.0052Ohm
    80V
    70 mJ
    150°C
    1.1mm
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS5C646NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH
    38 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    -
    20A Ta 93A Tc
    2V @ 250μA
    Tape & Reel (TR)
    -
    2014
    -55°C~175°C TJ
    yes
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    10.4 ns
    N-Channel
    -
    4.7m Ω @ 50A, 10V
    -
    2164pF @ 25V
    33.7nC @ 10V
    14.9ns
    ±20V
    5.1 ns
    93A
    20V
    -
    -
    60V
    -
    -
    -
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
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